Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.56 nC @ 5 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,00
€ 0,40 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 12,10
€ 0,484 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 10,00
€ 0,40 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 12,10
€ 0,484 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.56 nC @ 5 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse