Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4466SSS-13
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
1.42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Latime
3.95mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,17
€ 0,327 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 6,75
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,17
€ 0,327 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,27 | € 6,75 |
| 125+ | € 0,15 | € 3,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
1.42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Latime
3.95mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse