P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMG3415U-7

Nr. stoc RS: 751-4095PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMG3415U-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

71 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

900 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

9.1 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMG3415U-7
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMG3415U-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

71 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

900 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

9.1 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe