Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG3414U-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,00
€ 0,28 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,33
€ 0,333 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 7,00
€ 0,28 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 8,33
€ 0,333 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,28 | € 7,00 |
| 150 - 725 | € 0,17 | € 4,25 |
| 750 - 1475 | € 0,16 | € 4,00 |
| 1500+ | € 0,12 | € 3,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse