Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-7

Nr. stoc RS: 827-0452PProducator: DiodesZetexCod de producator: DMG2305UX-7
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 45,00

€ 0,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 53,55

€ 0,107 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 45,00

€ 0,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 53,55

€ 0,107 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-7
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
500 - 900€ 0,09€ 9,00
1000 - 2400€ 0,07€ 7,00
2500 - 4900€ 0,07€ 7,00
5000+€ 0,05€ 5,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe