Diodes Inc P-Channel MOSFET, 460 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1013T-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-523 (SC-89)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
270 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.58 nC @ 4.5 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,00
€ 0,03 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 3,57
€ 0,036 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 3,00
€ 0,03 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 3,57
€ 0,036 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-523 (SC-89)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
270 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.58 nC @ 4.5 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse