Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 DMG1012UW-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-323
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
290 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.737 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 90,00
€ 0,03 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 108,90
€ 0,036 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 90,00
€ 0,03 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 108,90
€ 0,036 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-323
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
290 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.737 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse