Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F

Nr. stoc RS: 708-2484Producator: DiodesZetexCod de producator: BSS84DW-7-F
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Tip pachet

SOT-363

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Latime

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Tip pachet

SOT-363

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Latime

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe