Dual N/P-Channel MOSFET, 110 mA, 130 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS8402DW-7-F

Nr. stoc RS: 708-2510Producator: DiodesZetexCod de producator: BSS8402DW-7-F
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

110 mA, 130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V, 60 V

Tip pachet

SOT-363 (SC-88)

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω, 13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Dual N/P-Channel MOSFET, 110 mA, 130 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS8402DW-7-F
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

Dual N/P-Channel MOSFET, 110 mA, 130 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS8402DW-7-F

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

110 mA, 130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V, 60 V

Tip pachet

SOT-363 (SC-88)

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω, 13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.2mm

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe