Diodes Inc P-Channel MOSFET, 230 mA, 45 V, 3-Pin E-Line BS250P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Tip pachet
E-Line
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 19,20
€ 0,48 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 22,85
€ 0,571 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Banda)
40
€ 19,20
€ 0,48 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 22,85
€ 0,571 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Banda)
40
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Banda |
|---|---|---|
| 40 - 195 | € 0,48 | € 2,40 |
| 200 - 995 | € 0,41 | € 2,05 |
| 1000 - 1995 | € 0,35 | € 1,75 |
| 2000+ | € 0,32 | € 1,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Tip pachet
E-Line
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse