Diodes Inc N-Channel MOSFET, 150 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BS170FTA
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.05mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,40
€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,05
€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 3,40
€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,05
€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 25 | € 0,68 | € 3,40 |
| 30 - 145 | € 0,45 | € 2,25 |
| 150 - 745 | € 0,34 | € 1,70 |
| 750 - 1495 | € 0,30 | € 1,50 |
| 1500+ | € 0,26 | € 1,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.05mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse