Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 2N7002DW-7-F

Nr. stoc RS: 708-2529Producator: DiodesZetexCod de producator: 2N7002DW-7-F
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-363

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

2.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 3,25

€ 0,13 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 3,93

€ 0,157 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 2N7002DW-7-F
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,25

€ 0,13 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 3,93

€ 0,157 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 2N7002DW-7-F

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-363

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

2.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe