Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
2.39mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,80
€ 1,38 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 16,70
€ 1,67 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 13,80
€ 1,38 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 16,70
€ 1,67 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
2.39mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse