STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2

Nr. stoc RS: 792-5861PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STH3N150-2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

H2PAK-2

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

15.8mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29.3 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.8mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,94

€ 4,47 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 10,82

€ 5,409 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,94

€ 4,47 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 10,82

€ 5,409 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

H2PAK-2

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

15.8mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29.3 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.8mm

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe