N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7807ZTRPBF

Nr. stoc RS: 170-2263Producator: InfineonCod de producator: IRF7807ZTRPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

18.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Serie

IRF7807ZPbF

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7807ZTRPBF

4000

Disponibil in multiplu de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7807ZTRPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

4000

Disponibil in multiplu de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

18.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Serie

IRF7807ZPbF

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe