Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

Nr. stoc RS: 222-4732Producator: InfineonCod de producator: IRF1010ESTRLPBFNr. articol Distrelec: 30284002
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 576,00

€ 0,72 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 696,96

€ 0,871 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

€ 576,00

€ 0,72 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 696,96

€ 0,871 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
800 - 800€ 0,72€ 576,00
1600+€ 0,68€ 544,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe