N-Channel MOSFET Transistor, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild FQP13N10L

Nr. stoc RS: 671-5026Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: FQP13N10L
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

65 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.7 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.1mm

Latime

4.7mm

Inaltime

9.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB FQP13N10
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild FQP13N10L

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild FQP13N10L

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB FQP13N10
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

65 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.7 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.1mm

Latime

4.7mm

Inaltime

9.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi QFET N-Channel MOSFET, 12.8 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB FQP13N10
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)