Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A, 3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SM
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ, 330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Full Bridge
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
4
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 29,85
€ 1,99 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 36,12
€ 2,408 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
15
€ 29,85
€ 1,99 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 36,12
€ 2,408 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
15
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 15 - 45 | € 1,99 | € 9,95 |
| 50 - 245 | € 1,75 | € 8,75 |
| 250 - 495 | € 1,50 | € 7,50 |
| 500+ | € 1,29 | € 6,45 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A, 3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SM
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ, 330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Full Bridge
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
4
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse