N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5.99mm
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2.670,00
€ 0,89 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.177,30
€ 1,059 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.670,00
€ 0,89 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.177,30
€ 1,059 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5.99mm
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse