N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
U-MOSVIII-H
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Latime
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,21 | € 6,05 |
| 25 - 45 | € 1,02 | € 5,10 |
| 50 - 245 | € 0,98 | € 4,90 |
| 250 - 495 | € 0,94 | € 4,70 |
| 500+ | € 0,90 | € 4,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
U-MOSVIII-H
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
37 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Latime
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse