N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK11P65W,RQ(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
DTMOSIV
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 7,25
€ 1,45 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,63
€ 1,726 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 7,25
€ 1,45 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,63
€ 1,726 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,45 | € 7,25 |
| 25 - 45 | € 1,30 | € 6,50 |
| 50 - 245 | € 1,24 | € 6,20 |
| 250 - 495 | € 1,18 | € 5,90 |
| 500+ | € 1,14 | € 5,70 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
DTMOSIV
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse