STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW4N150
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,89
€ 6,89 Buc. (fara TVA)
€ 8,20
€ 8,20 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,89
€ 6,89 Buc. (fara TVA)
€ 8,20
€ 8,20 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,89 |
| 5 - 9 | € 6,48 |
| 10 - 24 | € 5,78 |
| 25 - 49 | € 5,15 |
| 50+ | € 4,84 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse