N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STMicroelectronics STL8N10LF3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.2mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2.940,00
€ 0,98 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.498,60
€ 1,166 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.940,00
€ 0,98 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.498,60
€ 1,166 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.2mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse