STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB100N6F7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET F7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.35mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 950,00
€ 0,95 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.130,50
€ 1,13 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 950,00
€ 0,95 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.130,50
€ 1,13 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET F7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
9.35mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse