STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4

Nr. stoc RS: 233-0475PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTWA70N120G2V-4
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

91 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 40,29

€ 40,29 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 47,95

€ 47,95 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4
Selectati tipul de ambalaj

€ 40,29

€ 40,29 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 47,95

€ 47,95 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

91 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.03 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe