N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002LT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,03
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,036
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
€ 0,03
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,036
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,03 | € 1,50 |
| 1000 - 2450 | € 0,03 | € 1,50 |
| 2500 - 4950 | € 0,03 | € 1,50 |
| 5000+ | € 0,03 | € 1,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse