N-Channel MOSFET, 49 A, 120 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS86201

Nr. stoc RS: 166-2112Producator: ON SemiconductorCod de producator: FDMS86201
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Tip pachet

Power 56

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

21.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.85mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Inaltime

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 49 A, 120 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS86201

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 49 A, 120 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS86201
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Tip pachet

Power 56

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

21.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.85mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Inaltime

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe