Infineon CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R190C6FKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
CoolMOS™ C6
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
151 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Latime
5.21mm
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,96
€ 3,96 Buc. (fara TVA)
€ 4,71
€ 4,71 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 3,96
€ 3,96 Buc. (fara TVA)
€ 4,71
€ 4,71 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,96 |
| 10 - 24 | € 3,72 |
| 25 - 49 | € 3,54 |
| 50 - 99 | € 3,34 |
| 100+ | € 3,09 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
CoolMOS™ C6
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
151 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.13mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Latime
5.21mm
Inaltime
21.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse