N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R160P6ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS™ P6
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
176 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
9.45mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,74
€ 1,37 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 3,26
€ 1,63 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 2,74
€ 1,37 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 3,26
€ 1,63 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS™ P6
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
176 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
9.45mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse