Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5858Producator: InfineonCod de producator: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,84

Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 1,00

Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 672,00
1600€ 1.344,00
2400€ 2.016,00
3200€ 2.688,00
4000€ 3.360,00
4800€ 4.032,00
5600€ 4.704,00
6400€ 5.376,00
7200€ 6.048,00
8000€ 6.720,00
8800€ 7.392,00
9600€ 8.064,00
10400€ 8.736,00
11200€ 9.408,00
12000€ 10.080,00

€ 0,84

Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)

€ 1,00

Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Informatii indisponibile despre stoc

800

Disponibil in multiplu de 800
800€ 672,00
1600€ 1.344,00
2400€ 2.016,00
3200€ 2.688,00
4000€ 3.360,00
4800€ 4.032,00
5600€ 4.704,00
6400€ 5.376,00
7200€ 6.048,00
8000€ 6.720,00
8800€ 7.392,00
9600€ 8.064,00
10400€ 8.736,00
11200€ 9.408,00
12000€ 10.080,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe