Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 88,00
€ 0,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 104,72
€ 0,524 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
200
€ 88,00
€ 0,44 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 104,72
€ 0,524 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
200
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,44 | € 8,80 |
| 500 - 1980 | € 0,39 | € 7,80 |
| 2000+ | € 0,33 | € 6,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse