Diodes Inc N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMN2450UFD-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.25mm
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.48mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 150,00
€ 0,05 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 181,50
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 150,00
€ 0,05 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 181,50
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.25mm
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.48mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse