Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF

Nr. stoc RS: 541-1039Producator: VishayCod de producator: IRFD110PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
P.O.A.Buc. (fara TVA)
Informatii indisponibile despre stoc

€ 1,13

€ 1,13 Buc. (fara TVA)

€ 1,34

€ 1,34 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 1,13

€ 1,13 Buc. (fara TVA)

€ 1,34

€ 1,34 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 1,13
10 - 49€ 0,94
50 - 99€ 0,88
100 - 249€ 0,81
250+€ 0,77

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
P.O.A.Buc. (fara TVA)