Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Japan
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 66,00
€ 1,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 78,54
€ 1,571 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 66,00
€ 1,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 78,54
€ 1,571 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,32 | € 6,60 |
| 100 - 995 | € 1,17 | € 5,85 |
| 1000+ | € 1,04 | € 5,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7mm
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Japan
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse