STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB16NF06LT4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Lungime
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.4mm
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 680,00
€ 0,68 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 809,20
€ 0,809 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 680,00
€ 0,68 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 809,20
€ 0,809 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Lungime
10.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.4mm
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse