STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

Nr. stoc RS: 215-239Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT060HU75G3AG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Serie

SCT

Tip pachet

HU3PAK

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Japan

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7.182,00

€ 11,97 Buc. (Pe o rola de 600) (fara TVA)

€ 8.546,58

€ 14,244 Buc. (Pe o rola de 600) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG

€ 7.182,00

€ 11,97 Buc. (Pe o rola de 600) (fara TVA)

€ 8.546,58

€ 14,244 Buc. (Pe o rola de 600) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Serie

SCT

Tip pachet

HU3PAK

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

Japan

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe