STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT027W65G3-4AG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
SCT
Tip pachet
HiP247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 597,00
€ 19,90 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 710,43
€ 23,681 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 597,00
€ 19,90 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 710,43
€ 23,681 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
SCT
Tip pachet
HiP247-4
Timp montare
Through Hole
Numar pini
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse