onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1

Nr. stoc RS: 202-5701PProducator: onsemiCod de producator: NTH4L080N120SC1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

NTH

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 144,00

€ 7,20 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 171,36

€ 8,568 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Selectati tipul de ambalaj

€ 144,00

€ 7,20 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 171,36

€ 8,568 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

onsemi SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Tub
20 - 198€ 7,20€ 14,40
200+€ 6,18€ 12,36

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

NTH

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe