IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
HiperFET, Polar
Tip pachet
SOT-227
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
25.42mm
Transistor Material
Si
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
9.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 246,80
€ 24,68 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 293,69
€ 29,369 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
10
€ 246,80
€ 24,68 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 293,69
€ 29,369 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
HiperFET, Polar
Tip pachet
SOT-227
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
625 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
25.42mm
Transistor Material
Si
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
9.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse