IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P

Nr. stoc RS: 194-322Producator: IXYSCod de producator: IXFH96N15P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

96 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

480 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

21.46mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,22

€ 5,22 Buc. (fara TVA)

€ 6,21

€ 6,21 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 5,22
2€ 10,44
3€ 15,66
4€ 20,88
5€ 26,10
6€ 31,32
7€ 36,54
8€ 41,76
9€ 46,98
10€ 52,20
11€ 57,42
12€ 62,64
13€ 67,86
14€ 73,08
15€ 78,30

€ 5,22

€ 5,22 Buc. (fara TVA)

€ 6,21

€ 6,21 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 96 A, 150 V, 3-Pin TO-247 IXFH96N15P
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 5,22
2€ 10,44
3€ 15,66
4€ 20,88
5€ 26,10
6€ 31,32
7€ 36,54
8€ 41,76
9€ 46,98
10€ 52,20
11€ 57,42
12€ 62,64
13€ 67,86
14€ 73,08
15€ 78,30

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

96 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

480 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Latime

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

21.46mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe