P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF

Nr. stoc RS: 300-515Producator: International RectifierCod de producator: IRF4905PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

8.77mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 74 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRF4905PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

8.77mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze