Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1

Nr. stoc RS: 223-8519Producator: InfineonCod de producator: IPG20N06S2L65AATMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

OptiMOS™

Tip pachet

TDSON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2.050,00

€ 0,41 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)

€ 2.439,50

€ 0,488 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1

€ 2.050,00

€ 0,41 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)

€ 2.439,50

€ 0,488 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

OptiMOS™

Tip pachet

TDSON

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe