Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PG-TO263-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 704,00
€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 837,76
€ 1,047 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
€ 704,00
€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 837,76
€ 1,047 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PG-TO263-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse