Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

Nr. stoc RS: 284-724Producator: InfineonCod de producator: IMT65R057M1HXUMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tip pachet

PG-HSOF-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 15.900,00

€ 7,95 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)

€ 19.239,00

€ 9,62 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

2000

Disponibil in multiplu de 2000
2000€ 15.900,00
4000€ 31.800,00
6000€ 47.700,00
8000€ 63.600,00
10000€ 79.500,00
12000€ 95.400,00
14000€ 111.300,00
16000€ 127.200,00
18000€ 143.100,00
20000€ 159.000,00
22000€ 174.900,00
24000€ 190.800,00
26000€ 206.700,00
28000€ 222.600,00
30000€ 238.500,00

€ 15.900,00

€ 7,95 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)

€ 19.239,00

€ 9,62 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

2000

Disponibil in multiplu de 2000
2000€ 15.900,00
4000€ 31.800,00
6000€ 47.700,00
8000€ 63.600,00
10000€ 79.500,00
12000€ 95.400,00
14000€ 111.300,00
16000€ 127.200,00
18000€ 143.100,00
20000€ 159.000,00
22000€ 174.900,00
24000€ 190.800,00
26000€ 206.700,00
28000€ 222.600,00
30000€ 238.500,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tip pachet

PG-HSOF-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe