Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS83PH6327XTSA1

Nr. stoc RS: 753-2857PProducator: InfineonCod de producator: BSS83P
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

2.38 nC @ 10 V

Latime

1.3mm

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 37,50

€ 0,15 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 44,62

€ 0,178 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS83PH6327XTSA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 37,50

€ 0,15 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 44,62

€ 0,178 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS83PH6327XTSA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
250 - 450€ 0,15€ 7,50
500 - 1200€ 0,14€ 7,00
1250 - 2450€ 0,13€ 6,50
2500+€ 0,10€ 5,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

2.38 nC @ 10 V

Latime

1.3mm

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe