Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

Nr. stoc RS: 827-0134Producator: InfineonCod de producator: BSS215PH6327XTSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 45,00

€ 0,18 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)

€ 53,55

€ 0,214 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

€ 45,00

€ 0,18 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)

€ 53,55

€ 0,214 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
250 - 250€ 0,18€ 45,00
500 - 1000€ 0,13€ 32,50
1250 - 2250€ 0,12€ 30,00
2500 - 6000€ 0,11€ 27,50
6250+€ 0,10€ 25,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)