Infineon OptiMOS™ Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 BSL215CH6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
OptiMOS™
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 18,60
€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 22,13
€ 0,369 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
60
€ 18,60
€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 22,13
€ 0,369 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
60
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
OptiMOS™
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse