Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.25mm
Inaltime
0.48mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,00
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 5,95
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 5,00
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 5,95
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.25mm
Inaltime
0.48mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse