Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
TSOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.65mm
Lungime
2.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,50
€ 0,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,30
€ 0,226 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 9,50
€ 0,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,30
€ 0,226 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
TSOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.65mm
Lungime
2.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse