Vishay E Series N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG30N60E-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
E Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.82mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,30
€ 7,30 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,83
€ 8,83 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
1
€ 7,30
€ 7,30 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,83
€ 8,83 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
E Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.82mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse